使用光學測試硅封裝MEMS器件內部振動特性

· 通過硅封裝器件的不同層測試MEMS動態特性

· 實時面外振動測試，最大帶寬高達25 MHz

· 亞皮米級面外振動位移分辨率

· 易于集成至生產線上的自動測試系統(兼容商用探針臺)

· 頻閃法測試面內振動，帶寬高達2.5 MHz

· 更好地分離器件的各個層

· MEMS器件的最終有限元模型驗證

MSA-650 IRIS測試系統包括控制器、帶有額外參考通道的信號發生器，超高精度紅外光源的光學頭和強大的配套軟件包。其專用的紅外相機和低相干SLD源，是在其透過硅帽獲取完整硅封裝結構在工作條件下的整個層制結構的動態特性的關鍵。

硅封裝MEMS器件的模態測試

由于硅在波長為1050nm以上的近紅外光譜中是透明的，基于紅外干涉儀的振動測量技術使得獲取密封MEMS器件最真實和最有代表性的振動特性成為可能。

       Polytec全新的最先進的且已獲得專利技術的MSA系統能確保最佳數據質量，更好的分離MEMS器件的各個層。MSA-650 IRIS顯微式激光測振儀內置專用紅外相機和低相干SLD源，是目前世界上唯一能透過硅封裝結構獲取完整動態特性的系統，其實時面外振動帶寬高達25MHz，面內振動分辨率低至30nm。

為了利用激光多普勒振動測量(LDV)對封裝MEMS器件進行深入研究，需要了解硅的光學特性。雖然硅對可見光是不透明的，但它在從波長1050nm起的近紅外范圍內則顯示出良好的透射性。然而也有極限性，在波長為1550 nm時硅的折射率高達3.4，這導致在器件邊界處有相當大的菲涅耳反射。

Poyltec采用低相干光來提高精度，該技術已榮獲國際專利。與激光相反，超輻射二極管發出的低相干光只有在干涉儀中的光路與光源的相干長度相等時才會產生干涉，從而將焦點處以外的光排除在外。這一原理被用于白光干涉儀或光學相干層析術，現在首次用于激光多普勒測振儀(LDV)。對MEMS器件進行掃描測試時，帶寬高達25 MHz，振幅分辨率達100 fm/ Hz。